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    1. 半導體晶圓激光切割設備

      設備特點

      • 采用1064nm、532nm波長超快激光器
      • 實時焦距校正系統(DRA),可加工更大尺寸的晶圓片
      • 多激光點切割技術,提供高效率加工
      • 可兼容2寸 、4寸、6寸晶圓片,8寸及12寸用于半導體行業,具備條碼讀取功能,實現芯片生產過程中實時監控跟蹤
      • 具備自動判斷斜裂功能,提升了芯片的AOI良率
      • 全自動上下料功能, 無人值守式全自動運行(料盒方式,整盒上下料),產品批量化生產
      • 支持SECS-GEM半導體協議

      機型特點

      設備類型 DSI9486 DSI9286 DSI9199 DSI9386
      加工類型 皮秒改質切割 納秒改質切割 皮秒改質切割 皮秒改質切割
      切割尺寸 2″,4″,6″ 2″,4″,6″,8″ 2″,4″,6″ 2″,4″,6″
      x軸(工作臺) 最大切割范圍 180mm 200mm 180mm 180mm
      最大切割速度 1000mm/s 1000mm/s 1000mm/s 1000mm/s
      Y軸(工作臺) 最大切割范圍 180mm 200mm 180mm 180mm
      Y軸重復精度 0.001mm 0.001mm 0.001mm 0.001mm
      Z軸 移動量分辨率 0.0001mm 0.0001mm 0.0001mm 0.0001mm
      重復精度 0.001mm 0.001mm 0.001mm 0.001mm
      θ軸 定位精度 15 arc – sec 15 arc – sec 15 arc – sec 15 arc – sec
      最大旋轉角度 210deg 210deg 210deg 210deg
      激光器類型 超快激光器 納秒非超快激光器 超快激光器 超快激光器
      其他參數 自動化程度 全自動 全自動 全自動 全自動
      控制系統 PC+PLC PC+PLC PC+PLC PC+PLC
      電力需求 220V/單相/50Hz/15A 220V/單相/50Hz/15A 220V/單相/50Hz/15A 220V/單相/50Hz/15A
      壓縮空氣 0.4~0.8MPa

      壓縮空氣接口:Φ12mm

      0.4~0.8MPa

      壓縮空氣接口:Φ12mm

      0.4~0.8MPa

      壓縮空氣接口:Φ12mm

      0.4~0.8MPa

      壓縮空氣接口:Φ12mm

      環境溫度 20-25℃ 20-25℃ 20-25℃ 20-25℃
      環境濕度 20%-60% 20%-60% 20%-60% 20%-60%
      加工材質 濾光片等玻璃材質 LED藍寶石 碳化硅

      實例樣品

      美国一级片